From 72d236a7dfd8bd46118c1d0caa71f77fac24634e Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: Gogs Date: Sun, 9 Jun 2019 09:09:55 +0800 Subject: [PATCH] bug fix --- ds18b20.c | 59 +++++++++++++++++++------------------------------------ 1 file changed, 20 insertions(+), 39 deletions(-) diff --git a/ds18b20.c b/ds18b20.c index c8cb666..1828c39 100755 --- a/ds18b20.c +++ b/ds18b20.c @@ -8,7 +8,7 @@ #include #include -unsigned int gpio_num = 223; +unsigned int gpio_num = 0; #define DQ_IN gpio_direction_input(gpio_num) //#define DQ_OUT gpio_direction_output(gpio_num, gpio_get_value(gpio_num)) @@ -17,7 +17,7 @@ unsigned int gpio_num = 223; #define DQ_L gpio_set_value(gpio_num, 0) #define DQ_V gpio_get_value(gpio_num) -//spinlock_t lock; +spinlock_t lock; //******************************** //功能:ds18b20复位 @@ -26,17 +26,14 @@ int init_DS18B20(void) { unsigned int result; DQ_OUT; - DQ_H; - udelay(2); DQ_L; udelay(480); //480~960 DQ_H; - udelay(60); //60-240 + udelay(15); //15-60 DQ_IN; + udelay(60);//60-240 result = DQ_V; - udelay(420); - DQ_OUT; - DQ_H; + udelay(405); printk("ds18b20 init result %d", result); return result; } @@ -44,78 +41,62 @@ int init_DS18B20(void) //************************************* //功能:从ds18b20读一个字节的数据 //************************************* -// 读“1”时隙: -// 若总线状态保持在低电平状态1微秒到15微秒之间 -// 然后跳变到高电平状态且保持在15微秒到60微秒之间 -// 就认为从DS18B20读到一个“1”信号 -// 理想情况: 1微秒的低电平然后跳变再保持60微秒的高电平 -// -// 读“0”时隙: -// 若总线状态保持在低电平状态15微秒到30微秒之间 -// 然后跳变到高电平状态且保持在15微秒到60微秒之间 -// 就认为从DS18B20读到一个“0”信号 -// 理想情况: 15微秒的低电平然后跳变再保持46微秒的高电平 unsigned char read_char(void) { unsigned int i = 0; unsigned char dat = 0; - //spin_lock(&lock); + spin_lock(&lock); + DQ_OUT; for(i=0; i<8; i++) { - DQ_OUT; DQ_L; udelay(2); - DQ_H; - udelay(8); dat >>= 1; DQ_IN; + udelay(15); if (DQ_V) dat |= 0x80; udelay(50); + DQ_OUT; + udelay(2); } - DQ_OUT; - //spin_unlock(&lock); + spin_unlock(&lock); return dat; } //************************************* //功能:向ds18b20写一个字节的数据 //************************************* -// 写“1”时隙: -// 保持总线在低电平1微秒到15微秒之间 -// 然后再保持总线在高电平15微秒到60微秒之间 -// 理想状态: 1微秒的低电平然后跳变再保持60微秒的高电平 -// -// 写“0”时隙: -// 保持总线在低电平15微秒到60微秒之间 -// 然后再保持总线在高电平1微秒到15微秒之间 -// 理想状态: 60微秒的低电平然后跳变再保持1微秒的高电平 void write_char(unsigned char dat) { unsigned int i = 0; - //spin_lock(&lock); + spin_lock(&lock); DQ_OUT; for(i=0; i<8; i++) { DQ_L; - udelay(10); + udelay(2); if (dat & 0x01) DQ_H; else DQ_L; - udelay(50); + udelay(60); + DQ_H; + udelay(2); dat >>= 1; } - //spin_unlock(&lock); + spin_unlock(&lock); } int initDs18b20(unsigned int gpioNum) { - //spin_lock_init(&lock); + spin_lock_init(&lock); gpio_num = gpioNum; if (init_DS18B20()) + { return 1; + } return 0; }