From f17a957cf178750abeb8a9737ff59fd12a3d5fa4 Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: Gogs <gogs@fake.local>
Date: Fri, 7 Jun 2019 21:27:29 +0800
Subject: [PATCH] test

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 ds18b20.c | 49 +++++++++++++++++++++++++++++--------------------
 1 file changed, 29 insertions(+), 20 deletions(-)

diff --git a/ds18b20.c b/ds18b20.c
index 81fd900..743be2a 100755
--- a/ds18b20.c
+++ b/ds18b20.c
@@ -11,12 +11,13 @@
 unsigned int gpio_num = 223;
 
 #define DQ_IN gpio_direction_input(gpio_num)
-#define DQ_OUT gpio_direction_output(gpio_num, gpio_get_value(gpio_num))
+//#define DQ_OUT gpio_direction_output(gpio_num, gpio_get_value(gpio_num))
+#define DQ_OUT gpio_direction_output(gpio_num, 1)
 #define DQ_H gpio_set_value(gpio_num, 1)
 #define DQ_L gpio_set_value(gpio_num, 0)
 #define DQ_V gpio_get_value(gpio_num)
 
-spinlock_t lock;
+//spinlock_t lock;
 
 //********************************
 //功能:ds18b20复位
@@ -26,9 +27,6 @@ int init_DS18B20(void)
 	unsigned int result;
 	DQ_OUT;
 	DQ_L;
-	DQ_H;
-	udelay(2);
-	DQ_L;
 	udelay(480); //480~960
 	DQ_H;
 	udelay(60); //60-240
@@ -43,18 +41,26 @@ int init_DS18B20(void)
 //*************************************
 //功能:从ds18b20读一个字节的数据
 //*************************************
+// 读“1”时隙：
+//     若总线状态保持在低电平状态1微秒到15微秒之间
+//     然后跳变到高电平状态且保持在15微秒到60微秒之间
+//      就认为从DS18B20读到一个“1”信号
+//     理想情况: 1微秒的低电平然后跳变再保持60微秒的高电平
+//
+// 读“0”时隙：
+//     若总线状态保持在低电平状态15微秒到30微秒之间
+//     然后跳变到高电平状态且保持在15微秒到60微秒之间
+//     就认为从DS18B20读到一个“0”信号
+//     理想情况: 15微秒的低电平然后跳变再保持46微秒的高电平
 unsigned char read_char(void)
 {
     unsigned int i = 0;
     unsigned char dat = 0;
 
-    spin_lock(&lock);
+    //spin_lock(&lock);
     for(i=0; i<8; i++) {
 		DQ_OUT;
 		DQ_L;
-		DQ_H;
-		udelay(2);
-		DQ_L;
 		udelay(2);
 		DQ_H;
 		udelay(8);
@@ -65,26 +71,30 @@ unsigned char read_char(void)
         udelay(50);
     }
 	DQ_OUT;
-	DQ_L;
-	DQ_H;
-    spin_unlock(&lock);
+    //spin_unlock(&lock);
     return dat;
 }
 
 //*************************************
 //功能:向ds18b20写一个字节的数据
 //*************************************
+// 写“1”时隙：
+//     保持总线在低电平1微秒到15微秒之间
+//     然后再保持总线在高电平15微秒到60微秒之间
+//     理想状态: 1微秒的低电平然后跳变再保持60微秒的高电平
+//
+// 写“0”时隙：
+//     保持总线在低电平15微秒到60微秒之间
+//     然后再保持总线在高电平1微秒到15微秒之间
+//     理想状态: 60微秒的低电平然后跳变再保持1微秒的高电平
 void write_char(unsigned char dat)
 {
     unsigned int i = 0;
 
-    spin_lock(&lock);
+    //spin_lock(&lock);
     DQ_OUT;
-	DQ_H;
     for(i=0; i<8; i++) 
 	{
-	    DQ_H;
-        udelay(2);
         DQ_L;
 		if (dat & 0x01)
 			DQ_H;
@@ -93,13 +103,12 @@ void write_char(unsigned char dat)
         udelay(60);
 		dat >>= 1;
     }
-	DQ_H;
-    spin_unlock(&lock);
+    //spin_unlock(&lock);
 }
 
 int initDs18b20(unsigned int gpioNum)
 {
-    spin_lock_init(&lock);
+    //spin_lock_init(&lock);
     gpio_num = gpioNum;
     if (init_DS18B20())
         return 1;
@@ -116,7 +125,7 @@ void readDs18b20Data(unsigned char *value)
     write_char(0xCC);
     write_char(0x44);
 
-    mdelay(800);
+    mdelay(750);
 
     if (init_DS18B20())
     {